1、P型半導(dǎo)體也稱為空穴型半導(dǎo)體。

2、P型半導(dǎo)體即空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。

(相關(guān)資料圖)

3、在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導(dǎo)體。

4、在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。

5、空穴主要由雜質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。

6、摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

7、N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。

8、N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。

9、在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。

10、在N型半導(dǎo)體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導(dǎo)電。

11、自由電子主要由雜質(zhì)原子提供，空穴由熱激發(fā)形成。

12、摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

13、本征半導(dǎo)體 不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

14、在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴。

15、導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。

16、這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。

17、導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復(fù)合。

18、復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。

19、在一定溫度下，電子 - 空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動態(tài)平衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。

20、溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。

21、無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多，。

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